据有关媒体消息，国家知识产权局信息显示，成都海威华芯科技有限公司申请一项名为“一种氧化镓 MOSFET 沟道型器件的制造方法”的专利，公开号 CN 119028826 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氧化镓 MOSFET 沟道型器件的制造方法，属于半导体技术领域，主要包括：在 6 吋碳化硅基板上键合 4 吋氧化镓外延层；在所述氧化镓外延层上设计源极、栅极以及漏极，其中将栅极设计为棋盘矩阵型，增加栅极金属的肖特基接触面积。该发明外延结构采用超宽禁带半导体材料氧化镓，结合栅极的特殊设计，对于高功率器件的崩溃电压有显著的提升。同时让小于 6 吋外延晶圆片兼容 6 吋半导体工艺流程。