据Diamfab官网消息，近日，法国格勒诺布尔的Diamfab公司和HiQuTe Diamond公司宣布建立战略技术合作伙伴关系，涵盖价值链的关键阶段，从衬底生产到电子元件制造，通过掺杂层的外延。
据了解，HiQuTe Diamond 将贡献其在生产高质量金刚石衬底方面的专业知识，这些衬底经过优化，可最大限度地提高电力电子设备的性能。Diamfab 将负责使用先进的晶体生长工艺对掺杂层进行外延生长，以及制造高性能组件。
两家公司预计，由于地理位置接近和行业敏捷性，他们将能够加快迭代周期，以快速实现前所未有的技术和财务绩效，从而使金刚石半导体成为工业现实。
“金刚石半导体的性能水平比基于传统材料的组件高10-40倍，是广泛采用电气化和整个经济部门脱碳的关键，”Diamfb 的首席执行官 Gauthier Chicot 说。“通过与 HiQuTe Diamond 合作，我们有意愿和技术、人力和地理资源在法国创造这个卓越的行业，”他补充道。
“等离子体辅助CVD生长工艺可以生产出特别适用于电力电子要求苛刻的硼掺杂金刚石，”HiQuTe Diamond 首席执行官 Florent Alzetto 指出。“这种可持续的工艺确保了对物理特性的严格控制，同时应对性能挑战，”他补充道。“我们和 Diamfab 的专业知识融合为应对性能和能源效率方面的全球工业挑战提供了前所未有的机会。
两家公司计划开始合作，使用Diamfab优化的金刚石外延技术，在HiQuTe Diamond衬底上制造第一个系列的垂直肖特基二极管，第一批原型预计将于 2025 年春季推出。