杭州镓仁半导体新厂房启用
国产VB法氧化镓长晶设备全面进线
2024年11月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）二期工厂的正式启用，标志着公司在氧化镓领域的战略布局进一步深化，生产能力实现质的飞跃。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。
在二期工厂中，镓仁半导体自主研发并对外销售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化镓专用长晶炉已全面进线 [详细新闻可点击链接：重磅发布 | 镓仁半导体推出氧化镓专用晶体生长设备, 镓仁·新突破︱成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶，未来可期]，而且在现有基础上对工艺进行持续优化。技术总监夏宁表示：“垂直布里奇曼法是全球公认的氧化镓产业化的关键技术，我们作为国内唯一能提供此类设备的供应商，致力于推动氧化镓行业的快速发展，并期待与更多客户共同解决行业难题。”
随着新产线的进厂，镓仁半导体将进一步增强氧化镓材料和设备的生产能力，以满足市场对高性能半导体材料和专用设备的增长需求。新产线的引进将使公司在产品质量、生产效率和成本控制上实现新的飞跃，为客户提供更优质的产品和服务。
自2022年9月成立以来，镓仁半导体凭借在氧化镓单晶生长新技术上的突破性成果，迅速在国内外半导体材料市场占据领先地位。公司荣获国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业等多项荣誉，并成功获批萧山区“5213”项目（卓越类）和杭州市萧山区领军型创新创业项目等重点项目，展现了其强大的研发实力。
镓仁半导体在氧化镓衬底材料和专用设备的研发上取得了重大突破，拥有多项国际和国内发明专利，成功打破了西方国家在该领域的垄断。这一成就不仅提升了我国在宽禁带半导体材料领域的自主创新能力，也为全球半导体产业的多元化发展做出了贡献。
[公司简介]
杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。公司开创了氧化镓单晶生长新技术，拥有国际、国内发明专利十余项，突破了美国、日本等西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。
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