据杭州富加镓业科技有限公司官微消息，在国内外同行重点关注氧化镓单晶材料研制的同时，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）提前布局氧化镓外延技术攻关。在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目支持（项目编号：2022YFB3605500）支持下，研制了高性能MBE外延片，并与国家重点研发计划项目器件团队合作，成功制备了击穿电压大于2000V，电流密度为60 mA/mm的MOSFET横向功率器件，与进口同类型外延片制备器件性能相当。富加镓业提供分子束外延技术（MBE）制备的氧化镓外延片产品，采用非故意掺杂层与Sn掺杂层复合的双层外延结构，衬底材料为半绝缘型（010）Fe掺杂氧化镓，主要应用于横向功率器件。常规产品掺杂层载流子浓度为1-4E17cm-3，迁移率＞80 cm2/V·s，表面粗糙度＜2 nm。国家重点研发计划项目合作器件团队对该款MBE氧化镓外延片产品进行了初步流片验证，12 μm栅漏间距氧化镓MOSFET器件电流密度为60 mA/mm（图a），比导通电阻约为42 mΩ?cm2，击穿电压可达2242 V（图b），与采用进口同类材料的器件性能相当。富加镓业也将根据器件研制反馈结果，持续改进和优化，对外延产品进行新一轮迭代，致力于为下游器件厂商提供稳定可控的高质量氧化镓单晶衬底及外延产品，为我国打造有国际竞争力的氧化镓产业链提供材料保障，实现我国氧化镓基器件全链路贯通。图a-b 栅漏间距LGD=12 μm，栅极长度LG=1.5 μm时，氧化镓MOSFET的直流输出特性曲线和击穿曲线。
据了解，杭州富加镓业科技有限公司成立于 2019年 12 月 31 日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技〞企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。目前，公司已获得多项荣誉：2022年获得浙江省科技型中小企业；2023年获得国家高新技术企业；2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业；承担了国家发改委氧化镓项目1项，参与了国家科技部、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外，获得国际专利授权12项（美国6项，日本6项），国内专利授权37项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）2项。
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