据杭州镓仁半导体有限公司官微消息，2024年10月，镓仁半导体在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。
据悉，国际领先的氧化镓衬底制造商正在迅速采用VB法这一创新技术，以迭代传统的氧化镓单晶生长方法。VB法以其显著的竞争优势，正成为行业的新宠：
1、VB法不使用贵金属铱坩埚，无需考虑坩埚的氧化损耗，与常见使用铱坩埚的生长方法相比，该成本最高可降低至1/50。
2、VB法可采用空气气氛生长单晶，能够有效抑制氧化镓的高温分解，减少因坩埚腐蚀晶体中的夹杂物等缺陷，提升晶体质量。
3、VB法温度梯度小，因晶体热应力诱生的位错数量少，晶体质量高。
4、VB法晶体在坩埚内生长，晶体直径即坩埚直径，因此无需控制晶体直径，技术难度低且稳定性高，易实现自动化控制。
今年9月，镓仁半导体推出了自研氧化镓专用晶体生长设备，不仅能够满足氧化镓生长所需的高温和高氧环境，而且能够进行全自动化晶体生长，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。
目前，国内外氧化镓市场供应的晶圆级衬底尺寸主要集中在2英寸和4英寸。我们的设备在能够生产多种不同晶面的单晶氧化镓的同时，还具备了升级至4英寸单晶的能力。这不仅适应了不断进步的外延技术和器件需求，还能满足高校、科研机构以及企业客户在氧化镓晶体生长方面进行科研和生产的各项需求。