据苏州东微半导体股份有限公司官微介绍，面对AI计算需求的指数级增长，传统数据中心电力架构正面临前所未有的挑战, 千瓦级的供电标准早已无法匹配AI模型对能耗的极端需求，全球数据中心的供电方式将发生革命性变革。在功率电子与AI计算深度融合的关键节点，苏州东微半导体股份有限公司与苏州晶湛半导体有限公司于10月17日联合宣布，双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。
据悉，氮化镓功率器件正处于从消费电子快充"单点爆发"向多领域扩张的转折期。未来2-3年，在AI服务器电源、新能源汽车、人形机器人、光伏逆变器、工业电源等新兴领域的需求将进入加速放量阶段，尤其是AI数据中心需求愈发迫切，例如英伟达将于2027年为其下一代Rubin系列全面部署800V高压直流（HVDC）架构。全新的高压直流集中供电方式，高度依赖于高性能功率半导体材料的支撑，需要硅、碳化硅和氮化镓为高压直流系统提供从电网到芯片供电的全链路解决方案；尤其是基于氮化镓的多相DC/DC转换器产品，为超大规模AI数据中心提供灵活且高效的电源系统；同时，氮化镓功率器件还将为人形机器人、无人机等应用带来更高效率的电机驱动性能，提供节能高效的驱动方案。国内功率半导体技术创新者东微半导体与氮化镓外延材料的技术先驱晶湛半导体合作，发挥各自优势，采用主流的12英寸CMOS实验线研发12寸硅基氮化镓HEMT晶体管，共同推进12寸硅基氮化镓功率器件的产业化进程。此项产业技术的成功开发，不仅可以大幅降低制造成本，而且可以利用12寸先进的前后道工艺的技术，充分挖掘氮化镓材料在高能效、高功率密度方面的潜力，使这一技术为上述应用领域提供更具成本效益和性能优势的解决方案。两家公司的高层均对合作前景充满信心。双方共同认为，这一合作将为国内氮化镓产业链的完善和提升注入强劲动力。合作项目将分阶段推进，初期专注于基础外延工艺和器件结构工艺平台的搭建与优化，中期目标是在特定应用领域推出原型产品。长期来看，双方希望建立起完整的12英寸氮化镓技术生态系统，包括材料、设计、制造、封测和应用等全产业链环节。此次合作将结合东微半导体在功率器件设计与制造方面的丰富经验，以及晶湛半导体在氮化镓外延材料领域的领先技术，达到产业链上下游强强联合的效果，有力推进12英寸氮化镓技术在不久的将来成为电力电子领域的核心技术之一，推动中国第三代半导体产业的高质量发展。
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