2025年2月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在氧化镓晶体生长与加工技术方面取得了新突破，成功实现6英寸斜切氧化镓衬底的制备，其中衬底主面为(100)面沿 [00-1] 方向斜切4°。

图1 镓仁半导体6英寸斜切氧化镓衬底

表征结果显示：衬底质量方面，衬底XRD半高宽<90 arcsec，质量已达到国际领先水平；衬底表面形貌方面，形成了明显的台阶面，有利于进行台阶流外延生长；衬底面型参数方面，翘曲度(warp)为14.7 μm，弯曲度(Bow)为5.7 μm，总厚度偏差(TTV)为5.7 μm，面型参数已达到晶圆级标准，与同等尺寸碳化硅衬底产品水平相当。

图2 镓仁6英寸斜切氧化镓衬底XRD数据

图3 镓仁6英寸斜切氧化镓衬底表面粗糙度

图4 镓仁6英寸斜切氧化镓衬底面型参数测试结果