日前，株洲中车董事长、执行董事李东林在投资者活动中透露，株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。
此外，株洲中车还拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。
技术方面，株洲中车第三代精细平面栅SiC产品已定型，技术水平行业主流；第四代沟槽栅设计定型，达行业先进水平，并且对第五代SiC技术完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。