近期，由山东大学晶体材料国家重点实验室的研究团队在学术期刊 CrystEngComm 发布了一篇名为 Top-seeded solution growth and characterization of β-Ga2O3（顶部籽晶溶液生长 β-Ga2O3 的表征 ）的文章。
该团队采用顶部籽晶溶液生长（TSSG）法，首次使用 TeO2-Li2CO3 作为助熔剂，以 1023 K（远低于 2073 K 的熔融温度）成功生长出尺寸为 7 × 13 × 4 mm3 的 β-Ga2O3 块状单晶。实验发现，该方法不仅有效降低了生长温度，还能显著减少铂金消耗和材料挥发损失。此外，该晶体的主要外形面(010)、(100)、(0-11) 和 (1-1-1)也与 Bravais-Friedel 和 Donnay-Harker 方法的理想形态学预测非常吻合。这项工作提供了一种潜在的 β-Ga2O3 晶体生长方法，在低温下有效的减少铂的损耗。